US6M2GTR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | US6M2GTR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.67 |
10+ | $0.593 |
100+ | $0.4543 |
500+ | $0.3591 |
1000+ | $0.2873 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TUMT6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V, 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.5A, 1A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | US6M2 |
US6M2GTR Einzelheiten PDF [English] | US6M2GTR PDF - EN.pdf |
US6M2 TCR ROHM
ROHM SOT
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
ROHM SOT-363
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
ROHM SOT-363
ROHM SOT-363
TRANS PNP 30V 2A TUMT6
TRANS PNP 30V 2A TUMT6
ROHM TUMT6
US6M2 G TR ROHM
US6M2 TR ROHM
US6M2 ROHM
US6T4 TR ROHM
TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6
US6M2 G3 TR ROHM
US6T4 ROHM
US6M11 TCR ROHM
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
TRANS PNP 12V 3A TUMT6
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() US6M2GTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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